SanDisk готовится к серийному производству первых в мире чипов памяти 3D NAND емкостью 32 ГБ. Трехмерная структура дает возможность значительно уменьшить занимаемую микросхемой площадь на электронной плате и получить намного большую емкость. В чипах SanDisk, напрммер, используются 48 слоев ячеек. Не менее того, каждая ячейка памяти вместо одного либо 2-х битов данных, как в прошлых моделях микросхем памяти, может хранить три. Новая флэш-память BiCS 3D NAND обещает увеличить скорость записи/стирания, выносливость и надежность, кроме этого поднять скорость записи по сравнению с плоской NAND флэш-памяти. Новые 256-гигабитные чипы подходят для самых различных устройств — накопителей SSD, смартфонов, планшетных компьютеров и карт памяти, кроме этого корпоративных SSD для дата-центров.

Пробные поставки новых изделий начнутся осенью 2015-го. Вначале BiCS NAND будет применена альянсом SanDisk и Toshiba в производстве съёмных накопителей, потом - в пользовательских SSD и встраиваемых решениях, после чего очередь дойдёт и до решений класса enterprise. В конце весеннего периода 2014 г. стороны договорились о совместном инвестировании $4,8 млрд в разработку и производство чипов 3D NAND. Планируется, что постройка фабрики Fab2, заточенной под производство чипов флэш-памяти, закончится в первой половине 2016 г. К примеру, ее можно встретить в 128-гигабайтной версии телефона Apple iPhone 6 Plus образца 2014-го года.

Производство BiCS 3D NAND будет запущено в новом заводе, строительство которого было окончено в последнее время. В них начитывается 32 слоя ячеек.

SanDisk и Toshiba начинают приобретать оборудование для производства BiCS 3D NAND

 

Группа VK