Новые платы созданы для серверов и видеокарт. Это не менее чем в 7 раз больше полосы пропускания 36 Гбит/с для чипа 4 Гб GDDR5 DRAM, который обеспечивает наивысшую скорость передачи данных на контакт (9 Гбит/с) среди чипов DRAM, издаваемых на текущий момент, указали в компании.

Новая память будет производится по 20 нм техпроцессу, в модулях по 4 Гб (HBM первого поколения имела объем 1 Гб на модуль), а в дальнейшем будут представлены и 8 Гб модули.

«Благодаря серийному производству памяти нового поколения HBM2 DRAM мы можем намного активнее содействовать быстрому внедрению систем ВПВ нового поколения в интернациональных ИТ-компаниях», — объявил Севон Чжун, старший вице-президент подразделения маркетинга решений памяти, Самсунг Electronics.

Итак, Samsung. Компания приступила к выпуску четырёхслойных (плюс слой контроллера) микросхем памяти HBM ёмкостью 4 Гбайт по улучшенным спецификациям.

Самсунг же проинформировала, что приступила к массовому производству такой памяти, тогда как микросхемы памяти первого поколения производила только Hynix. Также несложно подсчитать, что микросхемы Самсунг состоят из четырёх 8-Гбит кристаллов. В пользовательских видеокартах, как например, GPU Pascal от NVIDIA либо GPU Polaris от AMD, мы ждём наибольшего объема памяти в пределах 8-16 Гбайт. Очевидно, речь будет идти о восьмислойных микросхемах с применением 8-Гбит слоёв.

Подводя результат, можно обозначить, что новая технология HBM2 сумеет предоставить производителям видеокарт вдвое большую пропускную способность и в 8 раз большую ёмкость.

Samsung начала выпуск ультрабыстрой оперативной памяти

 

Группа VK