Компания Самсунг официально проинформировала о начале массового производства чипов памяти Vertical NAND (V-NAND), которые содержат 48 слоев и имеют емкость 256 Гб. Об этом говорится в объявлении Самсунг, поступившем в редакцию CNews. Все это в результате чего даст возможность ускорить рост рынков высокопроизводительных твердотельных дисков с высокой плотностью записи данных, — объявил Юнг Хьюн Джун, президент подразделения решений памяти, Самсунг Electronics. Благодаря применению чипов ёмкостью 256 Гбит (или 32 ГБ) на одной подложке компания Самсунг сумеет выпускать твердотельные накопители не менее высокой ёмкости — до нескольких ТБ.

Плотность записи данных для свежей флэш-памяти 256Гб 3D V-NAND от Самсунг вдвое превосходит подобные показатели обычных чипов флэш-памяти 128 Гб NAND. В связи с этим разработчикам получилось установить около 85,3 млрд ячеек. Кроме этого, новые модули памяти получили прирост в передаче данных и уменьшения энергопотребления на 30%. Новая модель твердотельного диска дает возможность удовлетворить все требования систем на базе интерфейса Serial Attached SCSI (SAS), утверждают в компании. Также этот гаджет найдет свое назначение в больших корпорациях и DATA-центрах. Емкость каждой ячейки составляет три бита.

Samsung представила новые V-NAND SSD

 

Группа VK